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時(shí)創(chuàng)意群“芯”薈萃 高能產(chǎn)品亮相全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì)

2021-05-13      來源：


2021年5月6-8日，作為我國中西部地區(qū)唯一的半導(dǎo)體行業(yè)專業(yè)盛會(huì)，第三屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（重慶）博覽會(huì)（GSIE2021）在“重慶國際博覽中心”盛裝啟幕。時(shí)創(chuàng)意首度亮相重慶參展GSIE2021，以“不忘初芯 與時(shí)俱進(jìn)”為參展主題，攜旗下SCY品牌嵌入式存儲(chǔ)芯片、SSD固態(tài)硬盤及DRAM內(nèi)存模組等明星產(chǎn)品悉數(shù)亮相，展館位于重慶國際博覽中心 N8館T60展位。


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時(shí)創(chuàng)意作為國內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的新生代領(lǐng)軍企業(yè)，近年來持續(xù)研發(fā)取得引人注目的產(chǎn)品成果，能夠滿足消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)、工規(guī)級(jí)等各類存儲(chǔ)需求。此次展會(huì)上，時(shí)創(chuàng)意的眾多展出產(chǎn)品，尤其是首次發(fā)布的SCY DDR5產(chǎn)品，受到現(xiàn)場許多專業(yè)觀眾的熱情關(guān)注。


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一、DRAM內(nèi)存模組——

SCY DDR5 UDIMM 4800MHz產(chǎn)品

近幾年來，時(shí)創(chuàng)意一直在默默地積極布局DRAM內(nèi)存模組市場。目前，時(shí)創(chuàng)意已在DDR4產(chǎn)品上積累了大量的經(jīng)驗(yàn)，建立成熟的生產(chǎn)制程體系，實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)和供貨。時(shí)創(chuàng)意緊跟國際行業(yè)技術(shù)潮流，在此次展會(huì)上全新發(fā)布了SCY DDR5 4800MHz內(nèi)存模組產(chǎn)品。


為了滿足客戶對于內(nèi)存帶寬持續(xù)增長的需求，實(shí)現(xiàn)下一代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的更高性能目標(biāo)，SCY DDR5做了大量的改進(jìn)，超過以前歷代SDRAM，通過一系列強(qiáng)大的新功能和增強(qiáng)功能實(shí)現(xiàn)，在整體系統(tǒng)性能方面有極大提高，推進(jìn)高速傳輸信號(hào)的極限，并直接解決了內(nèi)存帶寬增長的挑戰(zhàn)。


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SCY DDR5內(nèi)存模組著重提高容量和頻率。在新的標(biāo)準(zhǔn)之下，其內(nèi)存最高速度將會(huì)達(dá)到6.4Gbps，UDIMM（Unbuffered Dual In-Line Memory Modules無緩沖雙列直插式內(nèi)存模組）起始容量為16GB，最大容量為128 GB。


在容量層面，SCY DDR5單顆芯片容量可達(dá)到64Gbit，是DDR4 16Gbit的4倍。在帶寬上，SCY DDR5的帶寬將會(huì)是DDR4內(nèi)存的兩倍，預(yù)計(jì)將會(huì)達(dá)到4.8Gbps，總帶寬將會(huì)有38%的提升，最高可達(dá)到8400MHz左右。


相較DDR4,SCY DDR5做出了很大改進(jìn):

  • DFE反饋均衡器：
    在DQ接收端上以多路判斷反饋均衡器（DFE）的形式增加信號(hào)的均衡。在更高速率下，DFE緩解內(nèi)部信號(hào)干擾（ISI）的影響。
  • 占空調(diào)節(jié)器（DCA）：
    能調(diào)整包括DQ和DQS在內(nèi)部讀取路徑的占空比。它改進(jìn)了信號(hào)經(jīng)過期間小占空比失真,最終通過控制器優(yōu)化對DQ和DQS信號(hào)接收端的占空比。
  • DQS間歇脈沖震蕩電路：
    允許控制器監(jiān)控由于電壓和溫度變化造成的DQS時(shí)鐘樹延遲的變化。
  • 更低功耗：
    SCY DDR5的工作電壓由DDR4的工作電壓1.2V降低到1.1V，進(jìn)一步降低功耗。
  • 通道的改變：
    除了更高數(shù)據(jù)速率和對I/O電路系統(tǒng)的改善外，SCY DDR5 具有2個(gè)40-bit（32位數(shù)據(jù)+ECC）獨(dú)立通道。當(dāng)在DDR5顆粒與一個(gè)默認(rèn)16的脈沖寬度（BL16）相結(jié)合時(shí)，允許一個(gè)單獨(dú)脈沖僅使用其中一個(gè)獨(dú)立通道，或僅使用半個(gè)DIMM訪問64B的數(shù)據(jù)。隨著這兩個(gè)獨(dú)立通道提供交叉訪問的能力，從而極大改善并發(fā)性。
  • 更大的DRAM陣列：
    與DDR4比較，DDR5擁有雙倍區(qū)塊群（BG）數(shù)量，保持了區(qū)塊/區(qū)塊群的數(shù)量一樣，這實(shí)際上使設(shè)備中的區(qū)塊數(shù)量翻倍。除了同樣區(qū)塊刷新和在命令總線中提升前/后同步信號(hào)在命令總線外，有助于緩解DDR4中常見的傳統(tǒng)性能瓶頸，改善整個(gè)內(nèi)存接口的有效帶寬。

 
時(shí)創(chuàng)意SCY DDR5內(nèi)存模組的成功推出，為客戶的設(shè)備性能提升提供了更優(yōu)質(zhì)的選擇。未來，隨著全球服務(wù)器內(nèi)存升級(jí)及市場需求持續(xù)上漲趨勢，時(shí)創(chuàng)意將致力于為客戶帶來品質(zhì)更優(yōu)、價(jià)格實(shí)惠的DRAM內(nèi)存模組產(chǎn)品。



二、固態(tài)硬盤——

SCY PCIe SSD系列產(chǎn)品


 這次展會(huì)，時(shí)創(chuàng)意還展出了新一代接口的PCIe 4.0 SSD S7000 Pro系列和全國產(chǎn)化PCIe3.0 旗艦SSD產(chǎn)品G2000系列。其中，PCIe 4.0 SSD S7000 Pro的連續(xù)讀寫可實(shí)現(xiàn)7400MB/s和6700MB/s，產(chǎn)品容量大、性能強(qiáng)、功耗低、散熱快，品質(zhì)表現(xiàn)十分突出。


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G2000系列更是采用了全國產(chǎn)方案，采用長江存儲(chǔ) Xtacking技術(shù)64層3D TLC閃存顆粒，連續(xù)讀寫性能最高可達(dá)到2590MB/s和2000MB/s，最大容量可支持1TB，同樣具備可靠性強(qiáng)、性能穩(wěn)定等產(chǎn)品特點(diǎn)。


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三、嵌入式存儲(chǔ)芯片——

國內(nèi)首發(fā)256GB eMMC產(chǎn)品


 此次展會(huì)上，時(shí)創(chuàng)意展出了eMMC、LPDDR4/4X、eMCP、eSSD等嵌入式存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。時(shí)創(chuàng)意現(xiàn)已完成8GB-256GB全容量系列eMMC芯片的規(guī)模量產(chǎn)。該芯片產(chǎn)品憑借高可靠性、耐久性的產(chǎn)品特質(zhì)，已經(jīng)通過多個(gè)國內(nèi)主流平臺(tái)的兼容性測試驗(yàn)證和嚴(yán)格質(zhì)控標(biāo)準(zhǔn)要求。

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 當(dāng)前，在嵌入式存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，時(shí)創(chuàng)意已開啟UFS高端智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片的研發(fā)，預(yù)計(jì)2021下半年將會(huì)推出256GB-1TB UFS系列芯片。此外，還將持續(xù)推動(dòng)eMCP、LPDDR、uMCP等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)，為全球客戶提供高品質(zhì)、可信賴的產(chǎn)品、解決方案與服務(wù)。



 據(jù)了解，本屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（重慶）博覽會(huì)以“眾智匯芯 創(chuàng)越極技”為主題，完整覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，設(shè)置集成電路制造、半導(dǎo)體材料、AI+IOT+5G等九大展覽專區(qū)，以技術(shù)展覽、產(chǎn)品發(fā)布、高端論壇等形式，賦能重慶加速構(gòu)建“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈，匯聚了全國眾多半導(dǎo)體領(lǐng)域權(quán)威專家學(xué)者、產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)及35000+專業(yè)觀眾，共同探討產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展及未來趨勢。


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 在產(chǎn)品的研發(fā)和制造方面，時(shí)創(chuàng)意的優(yōu)勢在于構(gòu)建了從Wafer封裝到模組生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈體系，從2016年以來逐年加大研發(fā)投入，80%以上的研發(fā)和生產(chǎn)封裝設(shè)備均為國際一流、國內(nèi)首用。隨著設(shè)施設(shè)備不斷更新迭代，公司的固定資產(chǎn)已經(jīng)從2016年的3000萬積累到如今的3億元。公司于去年國內(nèi)首發(fā)8Die堆疊的256GB eMMC，NAND flash已實(shí)現(xiàn)16Die堆疊技術(shù)，單顆TLC BGA容量達(dá)到1TB，芯片封裝直通率達(dá)到99.9%以上，整體封裝產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)16KK/月。


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 目前，時(shí)創(chuàng)意立足深圳，三地運(yùn)營，全球布局，通過打造 “一個(gè)國際物流中心”、“兩個(gè)先進(jìn)智造工廠”、“三大全球營銷中心”、“四個(gè)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室”、“五個(gè)研發(fā)基地”，持續(xù)深化從芯片研發(fā)到交付的一體化網(wǎng)絡(luò)式產(chǎn)業(yè)布局。未來，時(shí)創(chuàng)意將攜手更多產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴們，快速邁入國際先進(jìn)的高端存儲(chǔ)領(lǐng)域，為全球客戶提供高品質(zhì)、可信賴的產(chǎn)品、解決方案與服務(wù)。



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